Ilmuan IBM telah menyempurnakan teknologi memori yang lebih cepat, lebih murah dan lebih dari memori flash.
PhysOrg, mengatakan terobosan dalam teknologi yang disebut "fase mengubah memori" akan memungkinkan komputer dan server untuk boot sektika dan secara signifikan meningkatkan kinerja keseluruhan sistem TI.
Sebuah lawan yang menjanjikan adalah PCM yang dapat menulis dan mengambil data 100 kali lebih cepat dari flash, memungkinkan kapasitas penyimpanan yang tinggi dan tidak kehilangan data ketika listrik mati. tidak seperti flash, PCM juga sangat tahan lama dan dapat bertahan setidaknya 10 juta siklus menulis, dibandingkan dengan saat ini kelas enterprise flash pada 30.000 siklus atau konsumen kelas enterprise flash pada 3.000 siklus. sementara 3.000 siklus keluar akan hidup di perangkat banyak konsumen, 30.000 siklus lipat terlalu rendah cocok untuk aplikasi perusahaan.
Jadi bagaimanakah cara kerjanya?
PCM memanfaatkan perubahan resistansi yang terjadi dalam materi - paduan dari berbagai unsur - ketika perubahan fase dari kristal - menampilkan resistansi rendah - untuk amorf - menampilkan resistansi yang tinggi - untuk menyimpan bit data. Dalam sel PCM , dimana bahan perubahan fase disimpan antara atas dan elektroda bawah, perubahan fasa terkendali dapat diinduksi dengan menerapkan pulsa tegangan atau arus kekuatan yang berbeda. ini memanaskan material dan ketika batas tempratur yang berada dicapai menyebabkan bahan untuk perubahan dari kristal untuk amorf atau sebaliknya.
PCM teknologi tidak baru, tetapi tim peneliti yang berbasis di Zurich telah menunjukan cara melawan beberapa masalah dimana hambatan dari bahan melayang dari waktu ke waktu, dan hanyut pada tingkat yang berbeda antara dua negara, yang menciptakan kesalahan membaca membuat teknologi tidak dapat diandalkan.
IBM memiliki sejarah terobosan memori. pada tahun 1996 itu ditemukan dynamic random access memory yang merupakan salah satu faktor kunci dalam revolusi PC.
Tidak ada komentar:
Posting Komentar